컴퓨텍스 2026서 최초 공개…핵심 열관리 기술 'HPB' 적용 예정

송재혁 CTO "AI 시대, 종합 반도체 토탈 설루션 경쟁력 중요"

(타이베이=연합뉴스) 김민지 기자 = 삼성전자가 2일(현지시간) 개막한 '컴퓨텍스 2026'에서 공개한 8세대 고대역폭메모리 HBM5 실물 모형. 2026.06.02 jakmj@yna.co.kr

(타이베이=연합뉴스) 김민지 기자 = 삼성전자가 8세대 고대역폭메모리(HBM5)의 첫 실물모형(목업)을 공개하며 차세대 HBM 기술 선점에 대한 의지를 드러냈다.

송재혁 삼성전자 CTO(최고기술책임자)는 2일 대만 타이베이에서 열린 '컴퓨텍스 2026'의 삼성디스플레이 부스에서 기자들과 만나 " 급변하는 AI 산업에 대응하기 위해서는 ▲ 메모리 ▲ 파운드리 ▲ 로직 ▲ 패키징까지 아우르는 토탈 솔루션 경쟁력이 더욱 중요해지고 있다"고 강조했다.

삼성전자는 이번 전시에서 HBM5 목업을 공식적으로 처음 공개하고 HBM5에 처음으로 적용될 핵심 열관리 기술 'HPB(Heat Path Block)' 구조를 소개했다.

삼성전자는 HBM5에 자체 파운드리 2나노 공정으로 제작한 베이스 다이를 선제적으로 적용할 계획이다.

HPB는 AI 메모리의 성능을 높이는 과정에서 발생할 수 있는 발열 문제를 해결하기 위한 기술로, 다이와 다이 사이의 물리적 표면에서 발생하는 열을 보다 효율적으로 분산·방출할 수 있도록 설계됐다.

삼성전자는 이미 HBM4E 기반으로 HPB 기술 구현 및 검증을 완료했다. 향후 HBM5부터 본격 적용해 성능과 안정성을 더욱 고도화할 계획이다.

송 사장은 "일종의 굴뚝 같은 구조의 별도 열 전달 경로를 추가해 열 저항을 낮추고 동작 안정성을 높였다"며 "향후 고대역폭·고집적 AI 환경에서 차세대 HBM 성능과 시스템 효율 향상에 중요한 역할을 할 것으로 기대된다"고 말했다.

[촬영 김민지]

삼성전자는 이번 전시에서 지난달 말 업계 최초로 샘플 출하를 마친 HBM4E의 웨이퍼와 칩셋도 공개했다.

삼성전자 HBM4E는 최선단 1c D램 코어 다이와 자체 파운드리 4나노 공정 베이스 다이를 결합해 핀당 14Gbps(초당 기가비트)로 동작하며 최대 16Gbps(최대 4TB/s
대역폭)까지 구현하는 데 성공했다.

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