[더게이트]

삼성전자가 차세대 인공지능 가속기의 핵심이 될 HBM4E 12단 샘플을 글로벌 고객사에 전격 공급했다고 29일 밝혔다.

지난 2월 업계 최고 속도를 구현한 HBM4 양산 출하에 성공한 데 이어 수개월 만에 차세대 제품 공급을 개시하며 고대역폭 메모리 시장의 기술 리더십을 증명했다.

이번에 선보인 HBM4E 제품은 설계와 공정 최적화를 통해 독보적인 스펙을 구현했다. 핀당 동작 속도는 14Gbps에서 최대 16Gbps까지 지원하며 전작 대비 20% 이상 향상됐다.

또한 단일 스택 기준 초당 3.6TB의 대역폭을 제공해 대규모 언어 모델과 차세대 인공지능 시스템의 연산 속도를 극대화한다. 용량은 48GB를 구현해 전작 대비 30% 이상 늘렸으며 향후 고객사 환경에 맞춰 32GB와 64GB까지 라인업을 확대할 계획이다.

제품의 핵심 차별점은 공정 기술의 조화에 있다. 전작에서 검증된 최선단 공정 기반의 1c(10나노급 6세대) D램과 자체 foundry 4나노 로직 다이를 적용해 초미세 공정의 안정성을 높이는 동시에 수율과 양산성을 확보했다.

여기에 저전력 설계와 패키징 구조 최적화 기술을 집약해 전작 대비 에너지 효율은 16% 향상시켰고, 열 저항 특성은 14% 이상 개선해 고부하 연산 환경의 발열 문제를 관리하도록 했다.

삼성전자는 이번 샘플 공급을 시작으로 고객 일정에 맞춰 양산 공급에 돌입할 예정이다. 메모리, foundry, 시스템LSI, 첨단 패키징을 모두 아우르는 세계 유일의 원스톱 턴키 솔루션을 기반으로 공급 안정성을 확보해 나갈 방침이다.

황상준 삼성전자 메모리사업부 개발담당 부사장은 “HBM4 양산 성공에 이어 차세대 HBM4E 샘플 공급까지 완수하며 기술 리더십을 각인시켰다”며 “기술 초격차와 선제적 투자를 바탕으로 인공지능 메모리 시장 성장을 주도할 것”이라고 말했다.

한편 삼성전자는 지난 2월 세계 최초로 양산 출하한 HBM4의 양산 공급도 확대 중이다다. 해당 제품은 지난해 12월 최종 인증 단계인 SiP 테스트에서 11.7Gbps의 속도를 입증하며 최고 등급 평가를 받았다.

업계에서는 HBM4E와 동일한 1c D램 및 4나노 베이스 다이 조합이 적용됐다는 점에서 이번 신제품의 양산 전환 가능성도 높게 평가하고 있다.